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STP30NM60ND Datasheet

  • STP30NM60ND

  • N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 F...

  • 15頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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Electrical characteristics
STP/F30NM60ND - STB30NM60ND - STI30NM60ND - STW30NM60ND
2
Electrical characteristics
(T
CASE
=25擄C unless otherwise specified)
Table 5.
Symbol
On/off states
Value
Parameter
Drain-source
breakdown voltage
Drain source voltage slope
Zero gate voltage
drain current (V
GS
= 0)
Gate-body leakage
current (V
DS
= 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
V
48
1
10
100
3
4
0.11
5
0.13
V/ns
碌A(chǔ)
碌A(chǔ)
nA
V
鈩?/div>
Unit
V
(BR)DSS
dv/dt
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
R
DS(on)
I
D
= 1mA, V
GS
= 0
V
DD
= 480V, I
D
= 25A,
V
GS
= 10V
V
DS
= Max rating
V
DS
= Max rating @125擄C
V
GS
= 鹵 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 碌A(chǔ)
V
GS
= 10V, I
D
= 12.5 A
600
1. Characteristic value at turn off on inductive load
Table 6.
Symbol
g
fs (1)
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss eq.(2)
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
Dynamic
Parameter
Forward transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Equivalent output
capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Gate input resistance
Test conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 12.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz,
V
GS
= 0
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to
480V
V
DD
=300 V, I
D
= 12.5A
R
G
= 4.7鈩?V
GS
= 10V
(see Figure 7),
(see Figure 2)
V
DD
= 480V, I
D
= 25A,
V
GS
= 10V,
(see Figure 3)
f=1MHz Gate DC Bias=0
Test signal level=20mV
Open drain
Min.
Typ.
TBD
3000
600
90
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
100
TBD
TBD
1.6
Max.
Unit
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
鈩?/div>
1. Pulsed: pulse duration=300碌s, duty cycle 1.5%
2. C
oss eq
. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as C
oss
when V
DS
increases from 0 to 80% V
DSS
4/15

STP30NM60ND 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • FDmesh™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 600V

  • 25A

  • 130 毫歐 @ 12.5A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 100nC @ 10V

  • 2800pF @ 50V

  • 190W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-8448-5

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MO...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MO...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.2A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO P...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL 30V - 0.013 ohm - 40A - D2PAK/TO-220 STripFETO P...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MO...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL 30V - 0.019ohm - 40A - TO-220 STripFET POWER MO...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MO...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MO...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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