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ZXTS1000E6TC Datasheet

  • ZXTS1000E6TC

  • 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR AND SCHO...

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ZXTS1000E6
12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
AND SCHOTTKY DIODE
SUMMARY
Transistor: V
CEO
=-12V, I
C
= -1.25A
Schottky Diode: V
R
=40V; I
C
= 0.5A
DESCRIPTION
A PNP transistor and a Schottky Barrier diode contained in a single 6 leaded
SOT23 package.
SOT23-6
FEATURES
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Low Saturation Transistor
High Gain - 300 minimum
Low V
F
, fast switching Schottky
Mobile telecomms, PCMCIA & SCSI
DC-DC Conversion
APPLICATIONS
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZXTS1000E6TA
ZXTS1000E6TC
DEVICE MARKING
1000
REEL SIZE
(inches)
7
13
TAPE WIDTH
(mm)
8mm embossed
8mm embossed
QUANTITY
PER REEL
3000 units
10000 units
Top View
ISSUE 1 - NOVEMBER 2000
1

ZXTS1000E6TC 產(chǎn)品屬性

  • 10,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • 晶體管(BJT) - 單路

  • -

  • PNP + 二極管（隔離式）

  • 1.25A

  • 12V

  • 240mV @ 100mA，1.25A

  • 10nA

  • 200 @ 500mA，2V

  • 885mW

  • 220MHz

  • 表面貼裝

  • SOT-23-6

  • SOT-23-6

  • 帶卷 (TR)

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