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ZXMN3B04N8TC Datasheet

  • ZXMN3B04N8TC

  • 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE

  • 7頁

  • ZETEX

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ZXMN3B04N8
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 2.5V GATE DRIVE
SUMMARY
V
(BR)DSS
=30V : R
DS
(
on
)=0.025 ; I
D
= 8.9A
DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
鈥?/div>
Low on-resistance
鈥?/div>
Fast switching speed
鈥?/div>
Low threshold
鈥?/div>
Low gate drive
鈥?/div>
Low profile SOIC package
SO8
APPLICATIONS
鈥?/div>
DC - DC converters
鈥?/div>
Power management functions
鈥?/div>
Disconnect switches
鈥?/div>
Motor control
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TC
REEL
SIZE
7鈥?/div>
13鈥?/div>
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
Top View
DEVICE MARKING
鈥?/div>
ZXMN
3B04
ISSUE 2 - MAY 2004
1
SEMICONDUCTORS

ZXMN3B04N8TC 產(chǎn)品屬性

  • 2,500

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 7.2A

  • 25 毫歐 @ 7.2A，4.5V

  • 700mV @ 250µA

  • 23.1nC @ 4.5V

  • 2480pF @ 15V

  • 2W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SOP

  • 帶卷 (TR)

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