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ZVP2106B Datasheet

  • ZVP2106B

  • P CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS FET

  • 2頁(yè)

  • SEME-LAB

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ZVP2106B
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
P CHANNEL ENHANCEMENT
MODE DMOS FET
BV
DSS
ID
(cont)
RDS
(on)
- 60V
0.76A
鈩?/div>
0.5鈩?/div>
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
min.
0.89 max.
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
dia.
5.08 (0.200)
typ.
FEATURES
2.54
(0.100)
鈥?FAST SWITCHING SPEEDS
鈥?NO SECONDARY BREAKDOWN
鈥?EXCELLENT TEMPERATURE STABILITY
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
45擄
鈥?HIGH INPUT IMPEDANCE
鈥?LOW CURRENT DRIVE
TO39
Pin 1 鈥?Source
Pin 2 鈥?Gate
Pin 3 鈥?Drain
鈥?EASE OF PARALLELING
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25擄C unless otherwise stated)
V
GS
V
DS
I
D
I
D
I
DM
P
D
P
D
T
J
, T
stg
Gate 鈥?Source Voltage
Drain 鈥?Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
A
= 25擄C
Power Dissipation @ T
C
= 25擄C
Operating and Storage Temperature Range
(V
GS
= 10V , T
case
= 25擄C)
(V
GS
= 10V , T
case
= 100擄C)
鹵20
-60V
0.28A
-0.76A
-4A
0.7W
5W
鈥?5 to 150擄C
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
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    Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-El...
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    Power Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 100V, 8ohm, 1-Ele...
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