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ZHCS1006TA Datasheet

  • ZHCS1006TA

  • DIODE SCHOTTKY SOT-23

  • 164.00KB

  • 3頁

  • ETC

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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SOT23 SILICON HIGH CURRENT
SCHOTTKY BARRIER DIODE 鈥漇uperBAT鈥?/div>
ISSUE 1 - NOVEMBER 1997
7
1
ZHCS1006
C
1
A
3
FEATURES:
鈥?/div>
High current capability
鈥?/div>
Low V
F
APPLICATIONS:
鈥?/div>
Mobile telecomms, PCMIA & SCSI
鈥?/div>
DC-DC Conversion
PARTMARKING DETAILS : S16
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Continuous Reverse Voltage
Forward Current
Forward Voltage @ I
F
= 1000mA(typ)
Average Peak Forward Current;D.C.= 50%
Non Repetitive Forward Current t鈮?00碌s
t鈮?0ms
Power Dissipation at T
amb
= 25擄 C
Storage Temperature Range
Junction Temperature
SYMBOL
V
R
I
F
V
F
I
FAV
I
FSM
P
tot
T
stg
T
j
VALUE
60
900
600
1600
12
5
500
-55 to + 150
125
SOT23
UNIT
V
mA
mV
mA
A
A
mW
擄C
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄 C unless otherwise stated).
PARAMETER
Reverse Breakdown
Voltage
Forward Voltage
SYMBOL
V
(BR)R
V
F
MIN.
60
TYP.
80
245
275
330
395
455
510
620
50
17
12
280
320
390
470
530
600
740
100
MAX.
UNIT
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
碌A(chǔ)
pF
ns
CONDITIONS.
I
R
= 300碌A(chǔ)
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
50mA*
100mA*
250mA*
500mA*
750mA*
1000mA*
1500mA*
Reverse Current
Diode Capacitance
Reverse Recovery
Time
I
R
C
D
t
rr
V
R
= 45V
f= 1MHz,V
R
= 25V
switched from
I
F
= 500mA to I
R
=
500mA
Measured at I
R
= 50mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width= 300碌s. Duty cycle
鈮?%

ZHCS1006TA 產(chǎn)品屬性

  • 1

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 單二極管/整流器

  • -

  • 肖特基

  • 60V

  • 900mA（DC）

  • 530mV @ 750mA

  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）

  • 12ns

  • 100µA @ 45V

  • 17pF @ 25V，1MHz

  • 表面貼裝

  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • SOT-23-3

  • Digi-Reel®

  • ZHCS1006DKR

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    版本
    描述
    廠商
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