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ZC829A Datasheet

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SOT23 SILICON VARIABLE
CAPACITANCE DIODE
ISSUE 2 鈥?MAY 1997
FEATURES
* VHF to UHF operation
* Low I
R
* Enabling Excellent Phase Noise
Performance
* (I
R
Typically <200pA at 25V)
APPLICATIONS
* Mobile radios and Pagers
* Cellular telephones
* Voltage controlled Crystal Oscillators
PARTMARKING DETAIL ZC829A 鈥?J9A
1
ZC829A
1
3
2
3
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Forward Current
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
I
F
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
200
330
-55 to +150
UNIT
mA
mW
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C ).
PARAMETER
Reverse Breakdown
Voltage
Reverse Leakage
Current
SYMBOL
V
BR
I
R
MIN.
25
TYP.
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
R
= 10碌A(chǔ)
V
R
= 20V
V
R
= 3V, f=1MHz
V
R
= 2V, f=1MHz
V
R
= 2V/20V, f=1MHz
V
R
= 3V, f=50MHz
20
nA
Temperature Coefficient
畏
Diode Capacitance
Capacitance Ratio
Figure of Merit
C
d
C
d
/ C
d
Q
7.38
4.3
250
8.2
400
9.02
5.8
ppm/擄C
pF

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