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XSD56120 Datasheet

  • XSD56120

  • RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS

  • 46.96KB

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD56120
RF POWER TRANSISTORS
The
LdmoST
FAMILY
TARGET DATA
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL
MOSFETs
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION,
PUSH-PULL
P
OUT
= 100 W PEP WITH 13 dB GAIN @ 860
MHz
BeO FREE PACKAGE
s
s
s
M246
epoxy sealed
ORDER CODE
SD56120
BRANDING
XSD56120
s
DESCRIPTION
The SD56120 is a common source N-Channel
enhancement-mode lateral Field-Effect RF power
transistor designed for broadband commercial
and industrial applications at frequencies up to
1.0 GHz. The SD56120 is designed for high gain
and broadband performance operating in
common source mode at 28V. It is ideal for
broadcast applications from 470 to 860 MHz
requiring high linearity.
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Drain
3. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
GS
I
D
P
DISS
T
j
T
STG
Parameter
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation (@ Tc= 70 C)
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
o
4. Gate
5. Gate
Value
65
鹵
20
14
260
200
-65 to 150
Unit
V
V
A
W
o
o
V
(BR)DSS
Drain Source Voltage
C
C
THERMAL DATA
R
th(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
0.5
o
C/W
November 1999
1/4

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