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XN1C301 Datasheet

  • XN1C301

  • Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor

  • 5頁

  • PANASONIC

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Composite Transistors
XN1C301
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)
Unit: mm
For general amplification
0.65鹵0.15
5
0.95
2.8
-0.3
+0.2
+0.25
1.5
-0.05
0.65鹵0.15
1
Features
2.9
-0.05
q
0.3
-0.05
0.4鹵0.2
0.16
-0.06
+0.1
s
Basic Part Number of Element
q
1.1
-0.1
+0.2
0.8
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Tr1
Emitter to base voltage
Collector current
Peak collector current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Tr2
Emitter to base voltage
Collector current
Peak collector current
Total power dissipation
Overall Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
stg
(Ta=25藲C)
Ratings
鈥?0
鈥?0
鈥?
鈥?00
鈥?00
60
50
7
100
200
300
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mW
藲C
藲C
1 : Collector (Tr1)
2 : Collector (Tr2)
3 : Base (Tr2)
0 to 0.1
2SB709A+2SD601A
0.1 to 0.3
4 : Base (Tr1)
Emitter (Tr2)
5 : Emitter (Tr1)
EIAJ : SC鈥?4A
Mini Type Pakage (5鈥損in)
Marking Symbol:
4R
Internal Connection
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
+0.1
q
Two elements incorporated into one package.
(Tr1 base is connected to Tr2 emitter.)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
1.9鹵0.1
+0.2
4
0.95
3
2
1.45鹵0.1
s
1

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