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WED9LC6816V Datasheet

  • WED9LC6816V

  • 256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM

  • 27頁

  • ETC

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White Electronic Designs
WED9LC6816V
256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM
External Memory Solution for Texas Instruments
TMS320C6000 DSP
FEATURES
n
Clock speeds:
聲 SSRAM: 200, 166,150, and 133 MHz
聲 SDRAMs: 125 and 100 MHz
DESCRIPTION
n
DSP Memory Solution
聲 Texas Instruments TMS320C6201
聲 Texas Instruments TMS320C6701
The WED9LC6816V is a 3.3V, 256K x 32 Synchronous
Pipeline SRAM and a 4Mx32 Synchronous DRAM array
constructed with one 256K x 32 SBSRAM and two 4Mx16
SDRAM die mounted on a multilayer laminate sub-
strate. The device is packaged in a 153 lead, 14mm by
22mm, BGA.
The WED9LC6816V provides a total memory solution
for the Texas Instruments TMS320C6201 and the
TMS320C6701 DSPs The Synchronous Pipeline SRAM
is available with clock speeds of 200, 166,150,v and
133 MHz, allowing the user to develop a fast external
memory for the SSRAM interface port .
The SDRAM is available in clock speeds of 125 and
100 MHz, allowing the user to develop a fast external
memory for the SDRAM interface port.
The WED9LC6816V is available in both commercial
and industrial temperature ranges.
n
Packaging:
聲 153 pin BGA, JEDEC MO-163
n
3.3V Operating supply voltage
n
Direct control interface to both the SSRAM and
SDRAM ports on the 聯(lián)C6x聰
n
Common address and databus
n
65% space savings vs. monolithic solution
n
Reduced system inductance and capacitance
FIG. 1 PIN CONFIGURATION
T
OP
V
IEW
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
1
DQ
19
DQ
18
V
CCQ
DQ
17
DQ
16
V
CCQ
NC
NC
A
6
A
17
NC
V
CCQ
DQ
12
DQ
13
V
CCQ
DQ
14
DQ
15
2
DQ
23
DQ
22
V
CCQ
DQ
21
DQ
20
V
CCQ
NC
NC
A
7
NC/A
18
NC
V
CCQ
DQ
11
DQ
10
V
CCQ
DQ
9
DQ
8
3
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
NC
A
8
A
9
NC/A
19
NC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
4
V
SS
V
SS
SDWE
V
SS
V
SS
V
SS
SDRAS
V
SS
V
SS
V
SS
BWE
2
BWE
0
V
SS
V
SS
V
SS
SSADC
SSOE
5
V
SS
SDCE
SDA
10
V
SS
SDCLK
V
SS
SDCAS
V
SS
V
SS
V
SS
BWE
3
BWE
3
V
SS
SSCLK
V
SS
SSWE
SSCE
6
V
SS
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
NC
NC
7
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
A
2
A
1
A
0
NC
NC
NC
V
CC
V
CC
Vcc
V
CC
V
CC
8
DQ
24
DQ
25
V
CCQ
DQ
26
DQ
27
V
CCQ
A
4
A
3
A
11
A
13
A
15
A
15
DQ
4
DQ
5
V
CCQ
DQ
6
DQ
7
9
DQ
28
DQ
29
V
CCQ
DQ
30
DQ
31
V
CCQ
A
5
A
10
A
12
A
14
A
16
A
16
DQ
0
DQ
1
V
CCQ
DQ
2
DQ
3
P
IN
D
ESCRIPTION
A
0-17
Address Bus
DQ
0-31
Data Bus
SSCLK
SSRAM Clock
SSADC SSRAM Address Status Control
SSWE
SSRAM Write Enable
SSOE
SSRAM Output Enable
SDCLK
SDRAM Clock
SDRAS
SDRAM Row Address Strobe
SDCAS SDRAM Column Address Strobe
SDWE
SDRAM Write Enable
SDA
10
SDRAM Address 10/auto precharge
BWE
0-3
SSRAM Byte Write Enables
SDRAM SDQM 0-3
SSCE
Chip Enable SSRAM Device
SDCE
Chip Enable SDRAM Device
V
CC
Power Supply pins, 3.3V
V
CCQ
Data Bus Power Supply pins,
3.3V (2.5V future)
V
SS
Ground
NC
No Contact
August 2002 Rev 0
ECO #14663
1
White Electronic Designs Corporation 聲 (508) 366-5151 聲 www.whiteedc.com

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