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VNB28N04 Datasheet

  • VNB28N04

  • ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

  • 142.25KB

  • 13頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
VNP28N04FI
VNB28N04/VNV28N04
鈥漁MNIFET鈥?
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
TYPE
VNP28N04FI
VNB28N04
VNV28N04
s
s
s
s
s
s
V
clamp
42 V
42 V
42 V
R
DS( on)
0.035
鈩?/div>
0.035
鈩?/div>
0.035
鈩?/div>
I
lim
28 A
28 A
28 A
s
s
s
LINEAR CURRENT LIMITATION
THERMAL SHUT DOWN
SHORT CIRCUIT PROTECTION
INTEGRATED CLAMP
LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN
DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT
PIN
ESD PROTECTION
DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE
POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)
COMPATIBLE WITH STANDARD POWER
MOSFET
ISOWATT220
1
2
3
10
3
1
1
DESCRIPTION
The VNP28N04FI, VNB28N04 and VNV28N04
are
monolithic
devices
made
using
STMicroelectronics VIPower M0 Technology,
intended for replacement of standard power
MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in
thermal shut-down, linear current limitation and
overvoltage clamp protect the chip in harsh
BLOCK DIAGRAM (鈭?
D2PAK
TO-263
PowerSO-10
enviroments.
Fault feedback can be detected by monitoring the
voltage at the input pin.
(鈭? PowerSO-10 Pin Configuration : INPUT = 6,7,8,9,10; SOURCE = 1,2,4,5; DRAIN = TAB
June 1998
1/13

VNB28N04 產(chǎn)品屬性

  • VNB28N04 View All Specifications

  • 50

  • 集成電路 (IC)

  • PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開關(guān)

  • OMNIFET™

  • 低端

  • 非反相

  • 1

  • 35 毫歐

  • -

  • 28A

  • -

  • -

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • D2PAK

  • 管件

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    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    ”O(jiān)MNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,42V V(BR)DSS,28A I(D),TO-263AB
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    暫無(wú)描述
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