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UT62L2568(I) Datasheet

  • UT62L2568(I)

  • ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

  • 13頁

  • ETC

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餂?/div>
UTRON
Rev. 1.1
UT62L2568(I)
256K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
REVISION HISTORY
REVISION
Preliminary Rev. 0.1
Rev. 1.0
DESCRIPTION
Original.
1.Add fast access time : 100ns
2.Revise 鈥淔EATURES鈥?Operating :
40/25 40/35/25mA (Icc max.)
3.Revise 鈥淔EATURES鈥?Standby :
L -version : T
A
=0
鈩?/div>
~50
鈩?/div>
,20 uA(max.) 20 uA(TYP.)
LL-version : T
A
=0
鈩?/div>
~50
鈩?/div>
, 3 uA(max.)
2 uA(TYP.)
4.Revise 36 TFBGA Outline Dimension ball size :
0.3mm 0.35mm
1.Revised 鈥淔EATURES鈥?Operating current :
40/35/25mA(I
CC
max) 20/18/15mA (I
CC
typ.)
2.TRUTH TABLE & DC ELECTRICAL : Delete I
SB2
3.Revised V
TERM
: -0.5 to Vcc+0.3V
-0.5 to 4.6V
4.Added V
OH
: 2.7V at Vcc=3.0V
5.Revised DC (I
CC
max) 45/35/25mA 35/30/25mA
(I
CC
typ.) 30/25/20mA 20/18/15mA
6.Add under/overshoot range of V
IL
& V
IH
7.Revised AC t
OHZ
*@100ns (max): 35ns 30ns
t
WHZ
*(max) :30/30/40 20/25/30ns
8.Revised 鈥淒ata retention Characteristics鈥?:
I
DR
-LL (Typ.) : NA 1uA, I
DR
-L (Typ.) : NA 10uA
I
DR
-LL (Max.) : 25uA 6uA
t
R
(min) : 5ns 鈥漷
RC
鈥?/div>
9.Add order information for lead free product
Release Date
Nov 28, 2001
Aug 30, 2002
Rev. 1.1
Apr 28, 2003
UTRON TECHNOLOGY INC.
1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.
TEL: 886-3-5777882
FAX: 886-3-5777919
P80082
1

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