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UT61L5128 Datasheet

  • UT61L5128

  • ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

  • 10頁

  • ETC

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餂?/div>
UTRON
Rev. 1.2
UT61L5128
512K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
REVISION HISTORY
REVISION
Preliminary Rev. 0.1
Preliminary Rev.1.0
Preliminary Rev.1.1
DESCRIPTION
Original.
1.Add test condition for I
SB.
2.Add note to Vcc for access time=10ns.
1.Revised access time : 10/12/15 ns
8ns (max.) for Vcc=3.15V~3.6V
10ns (max.) for Vcc=3.0V~3.6V
2.Add CMOS low power operating :
Operating current : 260/220mA (Icc max.)
Standby current : 10/2mA(max.)
3.Add Data retention characteristics
4.Revised Terminal Voltage with Respect to Vss(V
TERM
) :
-0.5 to V
CC
+0.5
-0.5 to 4.6
5.Revised Input high voltage (V
IH
):
2.2(min)/Vcc+0.5(max) 2.0(min)/Vcc+0.3(max)
1. Revised Standby current : 10/2mA(max) 0.5mA(typ.)
2. Delete I
CC1
, I
CC2
3. Revised I
SB
: 30mA 3mA, I
SB1
:10mA 2mA,
4. Add I
SB
& I
SB1
(typ.) : 1mA & 2mA
5. Add Overshoot : V
IH
鈮?/div>
+6.0V for t
鈮?/div>
tRC /2.
Undershoot : V
IL
鈮?/div>
-2.0V for t
鈮?/div>
tRC /2.
6. Revised Data retention I
DR
(max) : 3mA 1mA
7. Add order information for lead free product
Draft Date
Jun 5, 2001
Jun 23,2001
Sep 06,2002
Rev.1.2
May 20,2003
UTRON TECHNOLOGY INC.
1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.
TEL: 886-3-5777882 FAX: 886-3-5777919
P80061
1

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