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UT61L25616 Datasheet

  • UT61L25616

  • ASYNCHRONOUS STATIC RAM- High Speed

  • 12頁

  • ETC

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餂?/div>
UTRON
Rev. 1.0
UT61L25616
256K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM
REVISION HISTORY
REVISION
DESCRIPTION
Preliminary Rev. 0.1 Original.
Preliminary Rev. 0.2 1. Revised Pin number
Rev. 1.0
1. Revised Standby current : 10/2mA(max) 0.5mA(typ.)
2. Delete I
CC1
, I
CC2
3. Revised I
SB
: 30mA 3mA, I
SB1
:10mA 2mA,
4. Add I
SB
& I
SB1
(typ.) : 1mA & 2mA
5. Add Overshoot : V
IH
鈮?/div>
+6.0V for t
鈮?/div>
tRC /2.
Undershoot : V
IL
鈮?/div>
-2.0V for t
鈮?/div>
tRC /2.
6. Revised Data retention I
DR
(max) : 3mA 1mA
7. Add order information for lead free product
Date
Sep.04,2002
Oct.28,2002
May 20,2003
UTRON TECHNOLOGY INC.
1F, No. 11, R&D Rd. II, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan, R. O. C.
TEL: 886-3-5777882
FAX: 886-3-5777919
P80076
1

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