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UNRF1A3 Datasheet

  • UNRF1A3

  • Composite Device - Transistors with built-in Resistor

  • 3頁

  • ETC

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Transistors with built-in Resistor
UNRF1A3
Silicon PNP epitaxial planar transistor
Unit: mm
For digital circuits
鈻?/div>
Features
鈥?/div>
Suitable for high density package and downsizing of the equipment
for Ultraminiature leadless package
0.6 mm
脳
1.0 mm (height 0.50 mm)
3
2
1
1.00
鹵0.05
0.60
鹵0.05
0.39
+0.01
鈭?.03
0.15
鹵0.05
0.05
鹵0.03
0.35
鹵0.01
0.25
鹵0.05
0.25
鹵0.05
1
鈻?/div>
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25擄C
Parameter
Rating
of
element
Overall
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
Rating
鈭?0
鈭?0
鈭?0
100
125
鈭?5
to
+125
Unit
V
V
mA
mW
擄C
擄C
0.50
鹵0.05
3
0.65
鹵0.01
2
0.05
鹵0.03
1: Base
2: Emitter
3: Collector
ML3-N2 Package
Marking Symbol: 1B
Internal Connection
R
1
(47 k鈩?
B
R
2
(47 k鈩?
C
E
鈻?/div>
Electrical Characteristics
T
a
=
25擄C
鹵
3擄C
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emittter voltage
Collector cutoff current
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
CBO
I
CEO
Emitter cutoff current
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
High level output voltage
Low level output voltage
Input resistance
Resistance ratio
Gain bandwidth product
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 鈭?0
V, I
E
=
2 mA, f
=
200 MHz
Conditions
I
C
= 鈭?0 碌A,
I
E
=
0
I
C
= 鈭?
mA, I
B
=
0
V
CB
= 鈭?0
V, I
E
=
0
V
CE
= 鈭?0
V, I
B
=
0
V
EB
= 鈭?
V, I
C
=
0
V
CE
= 鈭?0
V, I
C
= 鈭?
mA
I
C
= 鈭?0
mA, I
B
= 鈭?/div>
0.3 mA
V
CC
= 鈭?
V, V
B
= 鈭?/div>
0.5 V, R
L
=
1 k鈩?/div>
V
CC
= 鈭?
V, V
B
= 鈭?.5
V, R
L
=
1 k鈩?/div>
鈭?0%
0.8
47
1.0
150
鈭?.9
鈭?/div>
0.2
+30%
1.2
80
鈭?/div>
0.25
Min
鈭?0
鈭?0
鈭?/div>
0.1
鈭?/div>
0.5
鈭?/div>
0.1
mA
錚?/div>
V
V
V
k鈩?/div>
錚?/div>
MHz
Typ
Max
Unit
V
V
碌A
Publication date: July 2002
SJH00058AED
1

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Composite Device - Transistors with built-in Resistor
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Composite Device - Transistors with built-in Resistor
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Composite Device - Transistors with built-in Resistor
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Composite Device - Transistors with built-in Resistor
    ETC
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    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Composite Device - Transistors with built-in Resistor
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    複合デバイス － 抵抗內(nèi)蔵型トランジスタ
    ETC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
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    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
  • 英文版
    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
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    Silicon PNP epitaxial planar type
    PANASONIC
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