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UNR111F(UN111F) Datasheet

  • UNR111F(UN111F)

  • Composite Device - Transistors with built-in Resistor

  • 14頁

  • ETC

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Transistors with built-in Resistor
UNR1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/
111D/111E/111F/111H/111L
(UN1111/1112/1113/1114/1115/1116/1117/1118/1119/1110/
111D/111E/111F/111H/111L)
(0.4)
Unit: mm
(1.0)
(1.5)
3.5
鹵0.1
(1.0)
2.0
鹵0.2
2.4
鹵0.2
Silicon PNP epitaxial planar transistor
For digital circuits
6.9
鹵0.1
(1.5)
2.5
鹵0.1
R 0.9
R 0.7
q
3
2
(2.5)
1
1.25
鹵0.05
q
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and
reduction of the number of parts.
M type package allowing easy automatic and manual insertion as
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.
1.0
鹵0.1
(0.85)
0.55
鹵0.1
0.45
鹵0.05
s
Resistance by Part Number
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
(2.5)
UNR1111
UNR1112
UNR1113
UNR1114
UNR1115
UNR1116
UNR1117
UNR1118
UNR1119
UNR1110
UNR111D
UNR111E
UNR111F
UNR111H
UNR111L
(R
1
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
22k鈩?/div>
0.51k鈩?/div>
1k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
2.2k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
(R
2
)
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
47k鈩?/div>
47k鈩?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
5.1k鈩?/div>
10k鈩?/div>
鈥?/div>
10k鈩?/div>
22k鈩?/div>
10k鈩?/div>
10k鈩?/div>
4.7k鈩?/div>
1:Base
2:Collector
3:Emitter
M-A1 Package
Internal Connection
R1
C
B
R2
E
s
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
I
C
P
T
T
j
T
stg
(Ta=25藲C)
Ratings
鈥?0
鈥?0
鈥?00
400
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
mA
mW
藲C
藲C
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
4.1
鹵0.2
s
Features
4.5
鹵0.1
1

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