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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

UMB3NTN Datasheet

IC型號：
UMB3NTN
PDF描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual...
文件大?。?/label>
1249.00KB
PDF頁數(shù)：
9頁

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

UMB3NTN 產(chǎn)品屬性

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
4.7k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
100 @ 1mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
300mV @ 2.5mA，5mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
頻率 - 轉(zhuǎn)換
250MHz
功率 - 最大
150mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
UMT6
包裝
帶卷 (TR)

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型號

版本

描述

廠商

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UMB3

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UMB3
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