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TSD2931 Datasheet

  • TSD2931

  • RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

  • 4頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD2931
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
TARGET DATA
s
s
s
s
GOLD METALLIZATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
POUT = 150W MIN. WITH 14 dB GAIN @175
MHz
DESCRIPTION
The SD2931 is a gold metallized N-Channel MOS
field-effect RF power transistor. The SD2931 is
intended for use in 50V dc large signal
applications up to 230 MHz
M174
epoxy sealed
ORDER CODE
BRANDING
SD2931
TSD2931
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
DGR
V
GS
I
D
P
DISS
T
j
T
STG
Parameter
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M鈩?
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Value
125
125
鹵20
16
292
200
-65 to 150
3.Gate
4. Source
Unit
V
V
V
A
W
o
o
V
(BR)DSS
Drain Source Voltage
C
C
THERMAL DATA
R
th(j-c)
R
th(c-s)
Junction-Case Thermal Resistance
Case-Heatsink Thermal Resistance
鈭?/div>
0.6
0.2
o
o
C/W
C/W
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
November 1999
1/4

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    ETC [ETC]
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