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TSD2931-10 Datasheet

  • TSD2931-10

  • RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD2931-10
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
ADVANCE DATA
錕?frac12;
錕?frac12;
錕?frac12;
錕?frac12;
錕?frac12;
GOLD METALLIZATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
POUT = 150W MIN. WITH 14 dB gain @175
MHz
THERMALLY ENHANCED PACKAGING FOR
LOWER JUNCTION TEMPERATURES
M174
epoxy sealed
ORDER CODE
BRANDING
SD2931-10
TSD2931-10
DESCRIPTION
The SD2931-10 is a gold metallized N-Channel
MOS field-effect RF power transistor. Being
electrically identical to the standard SD2931
MOSFET, it is intended for use in 50V dc large
signal applications up to 230 MHz.
The SD2931-10 is mechanical compatible to the
SD2931 but offers in addition a better thermal
capability (25 % lower thermal resistance),
representing the best-in-class transistors for ISM
applications.
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
DI SS
T
j
T
STG
Parameter
Drain Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1M鈩?
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. O perating Junction Temperature
Storage Temperature
Value
125
125
鹵20
20
389
200
-65 to 150
3.Gate
4. Source
Uni t
V
V
V
A
W
o
o
C
C
THERMAL DATA
R
th (j-c)
R
th(c -s)
Junction-Case Thermal Resistance
Case-Heatsink Thermal Resistance
鈭?/div>
0.45
0.2
o
o
C/W
C/W
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
March 2000
1/10

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    ASYMMETRICAL THYRISTOR THYRISTOR ASYMETRIQUE
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
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    Low Vcesat NPN Transistor
    Taiwan Semicond...
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    TSC
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    Low Vce(sat) NPN Transistor
    TSC [Taiwa...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.25A I(D) ...
    ETC
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    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7A I(D) | S...
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7A I(D) | S...
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    RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
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