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TSD2918 Datasheet

  • TSD2918

  • RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs

  • 8頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
SD2918
RF POWER TRANSISTORS
HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
ADVANCE DATA
s
s
s
s
GOLD METALLIZATION
EXCELLENT THERMAL STABILITY
COMMON SOURCE CONFIGURATION
P
out
= 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN @ 30
MHz
DESCRIPTION
The SD2918 is a gold metallized N-Channel MOS
field-effect RF power transistor. It is intended for
use in 50 V DC large signal applications up to
200 MHz
M113
epoxy sealed
ORDER CODE
BRANDING
SD2918
TSD2918
PIN CONNECTION
1. Drain
2. Source
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25
o
C)
Symbol
V
(BR)DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
DI SS
T
j
T
STG
Parameter
Drain Source Voltage
Drain-Gate Voltage (R
GS
= 1 M鈩?
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Max. O perating Junction Temperature
Storage T emperature
Value
125
125
鹵20
6
175
200
-65 to 150
3.Gate
4. Source
Uni t
V
V
V
A
W
o
o
C
C
THERMAL DATA
R
th (j-c)
R
th(c -s)
Junction-Case Thermal Resistance
Case-Heatsink T hermal Resistance
鈭?/div>
1.0
0.30
o
o
C/W
C/W
* Determined using a flat aluminum or copper heatsink with thermal compound applied (Dow Corning 340 or equivalent).
November 1999
1/8

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    ETC
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    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7A I(D) | S...
    ETC
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    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 7A I(D) | S...
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