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TPC8014 Datasheet

  • TPC8014

  • TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (...

  • 7頁(yè)

  • TOSHIBA

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TPC8014
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)
TPC8014
Lithium Ion Battery Applications
Portable Equipment Applications
Notebook PC Applications
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
鈥?/div>
Small footprint due to small and thin package
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 11 m鈩?(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 10 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 10 碌A(chǔ) (max) (V
DS
= 30 V)
Enhancement mode: V
th
= 1.3 to 2.5 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
=
20 k鈩?
Gate-source voltage
Drain current
DC
Pulse
(Note 1)
(Note 1)
(t
=
10 s)
(Note 2a)
Drain power dissipation
(t
=
10 s)
(Note 2b)
Single pulse avalanche energy
(Note 3)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy
(Note 2a) (Note 4)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
30
30
鹵20
11
44
1.9
Unit
V
V
V
A
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-6J1B
Drain power dissipation
W
1.0
W
Weight: 0.08 g (typ.)
157
11
0.19
150
鈭?5
to 150
mJ
A
mJ
擄C
擄C
Circuit Configuration
8
7
6
5
Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with
caution.
1
2
3
4
1
2004-07-06

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  • 型號(hào)
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    廠商
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    VISAY [Vis...
  • 英文版
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    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (...
    TOSHIBA
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    TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (...
    TOSHIBA [T...
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    Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−...
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    TOSHIBA [T...
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    TOSHIBA
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    TOSHIBA [T...
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    ETC
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    TOSHIBA
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