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TPC8003 Datasheet

  • TPC8003

  • Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−...

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TPC8003
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U鈭扢OSII)
TPC8003
Lithium Ion Battery Applications
Portable Equipment Applications
Notebook PC Applications
Small footprint due to small and thin package
: R
DS (ON)
= 5.4 m鈩?(typ.)
High forward transfer admittance : |Y
fs
| = 21 S (typ.)
Low leakage current : I
DSS
= 10 碌A(chǔ) (max) (V
DS
= 30 V)
Enhancement mode : V
th
= 0.8~2.5 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Low drain鈭抯ource ON resistance
Unit: mm
Maximum Ratings
(Ta = 25擄C)
Characteristics
Drain-source voltage
Drain-gate voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source voltage
Drain current
DC
Pulse
(Note 1)
(Note 1)
(t = 10 s)
(Note 2a)
(t = 10 s)
(Note 2b)
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
stg
Rating
30
30
鹵20
13
52
2.4
1.0
220
13
0.24
150
鈭?5
to 150
Unit
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
鈥?/div>
鈥?/div>
2-6J1B
Drain power dissipation
Drain power dissipation
Weight: 0.080 g (typ.)
Single pulse avalanche energy
(Note 3)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy
(Note 2a) (Note 4)
Channel temperature
Storage temperature range
Circuit Configuration
Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with
caution.
1
2004-07-06

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