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TP0610K Datasheet

  • TP0610K

  • P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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TP0610K
New Product
Vishay Siliconix
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS(min)
(V)
鈥?0
r
DS(on)
(W)
6 @ V
GS
= 鈥?0 V
V
GS(th)
(V)
鈥? to 鈥?.0
I
D
(mA)
鈥?85
FEATURES
D
D
D
D
D
D
High-Side Switching
Low On-Resistance: 6
鈩?/div>
Low Threshold: 鈥? V (typ)
Fast Swtiching Speed: 20 ns (typ)
Low Input Capacitance: 20 pF (typ)
Gate-Source ESD Protection
BENEFITS
D
D
D
D
D
Ease in Driving Switches
Low Offset (Error) Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Easily Driven Without Buffer
APPLICATIONS
D
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories, Transistors, etc.
D
Battery Operated Systems
D
Power Supply Converter Circuits
D
Solid State Relays
TO-236
(SOT-23)
G
1
Marking Code: 6Kwll
3
D
6K = Part Number Code for TP0610K
w
= Week Code
ll
= Lot Traceability
S
2
Top View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
a
Pulse Drain Current
b
Power Dissipation
a
Maximum Junction-to-Ambient
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71411
S-04279鈥擱ev. C, 16-Jul-01
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
I
D
I
DM
P
D
Symbol
V
DS
V
GS
Limit
鈥?0
"20
鈥?85
鈥?15
鈥?00
350
140
350
鈥?5 to 150
Unit
V
mA
mW
_C/W
_C
R
thJA
T
J
, T
stg
11-1

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    P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
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    P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
    SUTEX [Sup...
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    SUPERTEX
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    SUTEX [Sup...
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    P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
    SUTEX [Sup...
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    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 110MA I(D) ...
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    P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    VISHAY
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    P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
    VISAY [Vis...
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