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TN2460T Datasheet

  • TN2460T

  • N-Channel 240-V (D-S) MOSFET

  • 4頁(yè)

  • VISHAY   VISHAY

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TN2460L/TN2460T
Vishay Siliconix
N-Channel 240-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Part Number
TN2460L
240
TN2460T
V
(BR)DSS
Min (V)
r
DS(on)
Max (W)
60 @ V
GS
= 10 V
60 @ V
GS
= 10 V
V
GS(th)
(V)
0.5 to 1.8
0.5 to 1.8
I
D
Min (mA)
75
51
FEATURES
D
D
D
D
D
Low On-Resistance: 40
W
Secondary Breakdown Free: 260 V
Low Power/Voltage Driven
Low Input and Output Leakage
Excellent Thermal Stability
BENEFITS
D
D
D
D
D
Low Offset Voltage
Full-Voltage Operation
Easily Driven Without Buffer
Low Error Voltage
No High-Temperature
鈥淩un-Away鈥?/div>
APPLICATIONS
D
High-Voltage Drivers: Relays, Solenoids,
Lamps, Hammers, Displays,
Transistors, etc.
D
Telephone Mute Switches, Ringer Circuits
D
Power Supply, Converters
D
Motor Control
TO-226AA
(TO-92)
S
1
TO-236
(SOT-23)
Device Marking
Front View
鈥淪鈥?TN
2406L
xxyy
鈥淪鈥?= Siliconix Logo
xxyy
= Date Code
G
1
3
S
2
D
Marking Code: T2wll
T2 = Part Number Code for TN2460T
w
= Week Code
ll
= Lot Traceability
G
2
D
3
Top View
TN2460L
Top View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
_
Pulsed Drain Current
a
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 70205
S-04279鈥擱ev. D , 16-Jul-01
www.vishay.com
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
thJA
T
J
, T
stg
TN2460L
240
"20
75
48
800
0.8
0.32
156
鈥?5 to 150
TN2460T
240
"20
51
32
400
0.36
0.14
350
Unit
V
mA
W
_C/W
_C
11-1

TN2460T 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • N-Channel

  • 240 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 60000 mOhms

  • Single

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • TO-236-3

  • - 55 C

  • 800 mW

  • 1000

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    版本
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    廠商
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    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
    SUPERTEX
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    SUTEX [Sup...
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    SUPERTEX
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    VISHAY
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