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THN6501F Datasheet

  • THN6501F

  • SiGe NPN Transistor

  • 11頁(yè)

  • AUK

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THN6501F
Semiconductor
SiGe NPN Transistor
鈻?/div>
Application
LNA and wide band amplifier up to GHz range
SOT-89
Unit in mm
鈻?/div>
Features
o Low Noise Figure
NF = 1.0 dB at f = 1 GHz, V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
o High Gain
MAG = 11.5 dB at f = 1 GHz, V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA
o High Transition Frequency
f
T
= 7 GHz at f = 1 GHz, V
CE
= 10 V, I
C
= 30 mA
4
鈻?/div>
h
FE
Classification
Marking
h
FE
AB1
125 to 300
AB2
80 to 160
Pin Configuration
Pin No
1
2, 4
3
Symbol
B
C
E
Description
Base
Collector
Emitter
鈻?/div>
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
STG
T
J
Parameter
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Current (DC)
Total Power Dissipation
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
Ratings
25
12
2.5
100
400
-65 ~ 150
150
Unit
V
V
V
mA
mW
鈩?/div>
鈩?/div>
1

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