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THN5602F Datasheet

  • THN5602F

  • NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR

  • 281.98KB

  • 6頁

  • TACHYONICS

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THN5602F
NPN SiGe RF POWER
TRANSISTOR
SOT-89
The THN5602F is a low cost, NPN medium power
SiGe HBT(Hetero-Junction Bipolar Transistor)
encapsulated in a plastic SOT-89 SMD package.
an output device, depending on the specific app-
lication.
4
鈻?/div>
FEATURES
o 4.8 Volt operation
o P1dB 28 dBm @f=465MHz
o Power gain 10 dB @f=465MHz
PIN CONFIGURATION
Unit : mm
鈻?/div>
APPLICATIONS
o Hand-held radio equipment in common
emitter class-AB operation in 450 MHz
communication band.
PIN NO
1
2
3
4
SYMBOL
b
c
e
c
DESCRIPTION
base
collector
emitter
collector
鈻?/div>
MAXIMUM RATINGS
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
P
T
T
STG
T
J
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Total Power Dissipation
Storage Temperature
Operating Juction Temperature
Ts = 60鈩?; note 1
CONDITION
Open Emitter
Open Base
Open Collector
VALUE
20
8
4
350
1
-65 ~ 150
150
UNIT
V
V
V
mA
W
鈩?/div>
鈩?/div>
www.tachyonics.co.kr
-1/6-
Sep-2003
Rev 1.1

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