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SUP75P03-08 Datasheet

  • SUP75P03-08

  • P-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUP/SUB75P03-08
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
鈥?0
r
DS(on)
(W)
0.008
I
D
(A)
鈥?5
a
TO-220AB
S
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
SUP75P03-08
SUB75P03-08
P-Channel MOSFET
D S
Top View
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C (TO-220AB and TO-263)
T
A
= 25_C (TO-263)
c
P
D
T
J
, T
stg
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
Symbol
V
GS
Limit
"20
鈥?5
a
鈥?5
鈥?00
鈥?5
280
250
d
3.7
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount (TO-263)
c
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
d. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 70772
S-05111鈥擱ev. D, 10-Dec-99
www.vishay.com
Free Air (TO-220AB)
Symbol
R
thJA
R
thJA
R
thJC
Limit
40
62.5
0.6
Unit
_C/W
1

SUP75P03-08 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • P-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 8 mOhms

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-220AB-3

  • 80 ns

  • - 55 C

  • 250 W

  • 16 ns

  • 100

  • TrenchFET

  • 140 ns

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