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SUP75P03-07 Datasheet

  • SUP75P03-07

  • P-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

  • 57.49KB

  • 5頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUP/SUB75P03-07
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
鈥?0
0.010 @ V
GS
= 鈥?.5 V
r
DS(on)
(W)
0.007 @ V
GS
= 鈥?0 V
I
D
(A)
a
"75
"75
TO-220AB
S
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
SUP75P03-07
SUB75P03-07
P-Channel MOSFET
D S
Top View
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Power Dissipation
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C (TO-220AB and TO-263)
T
A
= 25_C (TO-263)
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
"20
鈥?5
a
鈥?5
Unit
V
A
鈥?40
鈥?0
180
187
d
W
3.75
鈥?5 to 175
_C
mJ
Operating Junction and Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount (TO-263)
c
Junction-to-Ambient
Free Air (TO-220AB)
Junction-to-Case
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
d. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71109
S-00821鈥擱ev. B, 24-Apr-00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJA
R
thJC
62.5
0.8
Symbol
R
thJA
Limit
40
Unit
_C/W
2-1

SUP75P03-07 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • P-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 7 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB-3

  • Tube

  • 210 ns

  • - 55 C

  • 187 W

  • 225 ns

  • 100

  • 150 ns

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