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SUP75N05-06 Datasheet

  • SUP75N05-06

  • N-Channel 50-V (D-S), 175C MOSFET

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUP/SUB75N05-06
Vishay Siliconix
N-Channel 50-V (D-S), 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
50
r
DS(on)
(W)
0.006
I
D
(A)
75
TO-220AB
D
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
SUP75N05-06
SUB75N05-06
N-Channel MOSFET
D S
Top View
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C (TO-220AB and TO-263)
T
A
= 25_C (TO-263)
d
P
D
T
J
, T
stg
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
Symbol
V
GS
Limit
"20
75
a
70
240
75
280
250
c
3.7
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount (TO-263)
d
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 70292
S-05110鈥擱ev. E, 10-Dec-01
www.vishay.com
Free Air (TO-220AB)
R
thJA
R
thJC
Symbol
Limit
40
62.5
0.6
Unit
_C/W
C/W
2-1

SUP75N05-06 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 50 V

  • +/- 20 V

  • 75 A

  • 6 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB-3

  • 20 ns

  • - 55 C

  • 250 W

  • 20 ns

  • 100

  • 50 ns

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