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SUP70N03-09BP Datasheet

  • SUP70N03-09BP

  • N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

  • 49.97KB

  • 5頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUP/SUB70N03-09BP
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM Optimized
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
30
r
DS(on)
(W)
0.009 @ V
GS
= 10 V
0.013 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
70
a
60
TO-220AB
D
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
SUP70N03-09BP
SUB70N03-09BP
N-Channel MOSFET
D S
Top View
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
_
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Symbol
V
DS
V
GS
Limit
30
"20
70
b
50
200
30
61
93
b
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount (TO-263)
c
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Notes:
a. Duty cycle
v
1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 71229
S-20102鈥擱ev. B, 11-Mar-02
www.vishay.com
Free Air (TO-220AB)
R
thJA
R
thJC
Symbol
Limit
40
62.5
1.6
Unit
_C/W
1

SUP70N03-09BP 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 70 A

  • 9 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB-3

  • Tube

  • 9 ns

  • - 55 C

  • 93 W

  • 8 ns

  • 100

  • TrenchFET

  • 25 ns

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