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SUP45N03-13L Datasheet

  • SUP45N03-13L

  • N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUP45N03-13L
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
30
r
DS(on)
(W)
0.013 @ V
GS
= 10 V
0.02 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
45
a
45
a
TO-220AB
D
G
DRAIN connected to TAB
G D S
Top View
S
N-Channel MOSFET
SUP45N03-13L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
_
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Maximum Power Dissipation
b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
30
"10
45
a
34
a
100
45
100
88
c
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Document Number: 70804
S-05011鈥擱ev. F, 29-Oct-01
www.vishay.com
Free Air
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
85
1.7
Unit
_C/W
_
1

SUP45N03-13L 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 10 V

  • 45 A

  • 13 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • Through Hole

  • TO-220AB-3

  • Tube

  • 11 ns

  • - 55 C

  • 88 W

  • 9 ns

  • 100

  • 38 ns

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