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SUM65N20-30 Datasheet

  • SUM65N20-30

  • N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET

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SUM65N20-30
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) 175_C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
200
D
TrenchFETr Power MOSFETS
D
175_C Junction Temperature
D
New Low Thermal Resistance Package
r
DS(on)
(W)
I
D
(A)
65
a
0.030 @ V
GS
= 10 V
APPLICATIONS
D
Automotive
鈥?42-V EPS and ABS
鈥?DC/DC Conversion
鈥?Motor Drives
D
Isolated DC/DC converters
鈥?Primary-Side Switch
鈥?High Voltage Synchronous Rectifier
D
TO-263
G
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Top View
SUM65N20-30
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
_
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Maximum Power Dissipation
b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
200
"20
65
a
37
a
140
35
61
375
c
3.75
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case (Drain)
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 71702
S-04920鈥擱ev. A, 15-Oct-01
www.vishay.com
PCB Mount (TO-263)
d
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
40
0.4
Unit
_C/W
_
1

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