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SUM45N25-58 Datasheet

  • SUM45N25-58

  • N-Channel 250-V (D-S), 175 Degrees Celcious, MOSFET

  • 5頁(yè)

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SUM45N25-58
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 250-V (D-S) 175_C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
250
r
DS(on)
(W)
0.058 @ V
GS
= 10 V
0.062 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
45
43
D
TrenchFETr Power MOSFETS
D
175_C Junction Temperature
D
New Low Thermal Resistance Package
APPLICATIONS
D
Primary Side Switch
D
Plasma Display Panel Sustainer Function
D
TO-263
G
G
D S
S
Top View
Ordering Information: SUM45N25-58-
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche
Energy
a
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
250
"30
45
25
70
35
61
375
b
3.75
- 55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
c
Junction-to-Case (Drain)
Notes
a. Duty cycle
v
1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 72314
S-31515鈥擱ev. A, 14-Jul-03
www.vishay.com
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
40
0.4
Unit
_C/W
1

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