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SUM110N06-04L Datasheet

  • SUM110N06-04L

  • N-Channel 60-V (D-S) 200C MOSFET

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SUM110N06-04L
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) 200_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
60
FEATURES
r
DS(on)
(W)
I
D
(A)
110
a
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.005 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr Power MOSFETS
D
200_C Junction Temperature
D
New Low Thermal Resistance Package
APPLICATIONS
D
TO-263
D
Automotive
鈥?Boardnet 42-V EPS and ABS
鈥?Motor Drives
D
High Current
D
DC/DC Converters
G
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Top View
SUM110N06-04L
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
_
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Maximum Power Dissipation
b
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C)
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
60
"20
110
a
110
a
440
75
280
437.5
c
3.7
鈥?5 to 200
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient鈥擯CB Mount
d
Junction-to-Case (Drain)
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
40
0.4
Unit
_C/W
_
Document Number: 71704
S-20417鈥擱ev. B, 08-Apr-02
www.vishay.com
1

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