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SUM09MN20-270 Datasheet

  • SUM09MN20-270

  • N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET

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SUM09N20-270
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) 175_C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
200
r
DS(on)
(W)
0.270 @ V
GS
= 10 V
0.300 @ V
GS
= 6 V
I
D
(A)
9
8.5
D
TrenchFETr Power MOSFETS
D
175_C Junction Temperature
D
New Low Thermal Resistance Package
D
TO-263
G
G
D S
S
N-Channel MOSFET
Top View
Ordering Information: SUM09N20-270
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
200
"20
9
5.2
10
7
2.45
60
b
3.75
- 55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
c
Junction-to-Case (Drain)
Notes
a. Duty cycle
v
1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 72158
S-03414鈥擱ev. A, 03-Mar-03
www.vishay.com
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
40
2.5
Unit
_C/W
1

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