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SUD50N03-11 Datasheet

  • SUD50N03-11

  • N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUD50N03-11
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
r
DS(on)
(W)
0.011 @ V
GS
= 10 V
0.017 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
50
43
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Order Number:
SUD50N03-11
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
30
"20
50
37
Unit
V
A
100
50
62.5
c
7.5
b
鈥?5 to 175
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
b
Junction-to-Case
Junction-to-Lead
Notes
a. Package Limited.
b. Surface Mounted on 1鈥?x1鈥?FR4 Board, t
v
10 sec.
c. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71187
S-01329鈥擱ev. B, 12-Jun-00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10 sec
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
R
thJL
Typical
17
50
2
4
Maximum
20
60
2.4
4.8
Unit
_C/W
_C/W
1

SUD50N03-11 產品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 50 A

  • 11 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252-3

  • Reel

  • 6 ns

  • - 55 C

  • 7.5 W

  • 10 ns

  • 2000

  • TrenchFET

  • 18 ns

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