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SUD50N03-10AP Datasheet

  • SUD50N03-10AP

  • N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

  • 81.62KB

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUD50N03-10AP
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM Optimized
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
30
r
DS(on)
(W)
0.010 @ V
GS
= 10 V
0.014 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
20
18
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Order Number:
SUD50N03-10AP
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 25_C
T
A
= 100_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
30
"20
20
14
Unit
V
A
100
20
71
b
8.3
a
鈥?5 to 175
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
v
10 sec
R
thJA
Steady State
Maximum Junction-to-Case
Notes:
a. Surface mounted on 1鈥?x 1鈥?FR4 Board, t
v
10 sec.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71134
S-99628鈥擱ev. A, 10-Jan-00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
Steady State
R
thJC
40
1.75
50
2.1
Symbol
Typical
15
Maximum
18
Unit
_C/W
2-1

SUD50N03-10AP 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 15 A

  • 10 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252-3

  • 20 ns

  • - 55 C

  • 83 W

  • 90 ns

  • 2000

  • TrenchFET

  • 33 ns

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