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SUD40N10-25 Datasheet

  • SUD40N10-25

  • N-Channel 100-V (D-S) 175`C MOSFET

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUD40N10-25
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
100
r
DS(on)
(W)
0.025 @ V
GS
= 10 V
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
40
38
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Order Number:
SUD40N10-25
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle
v
1%)
Maximum Power Dissipation
T
A
= 25_C
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
P
D
T
J
, T
stg
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AR
E
AR
Limit
100
"20
40
23
70
40
40
80
33
b
3
a
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient
a
Junction-to-Case
Notes
a. Surface Mounted on 1鈥?x1鈥?FR4 Board.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 71140
S鈥?0171鈥擱ev. A, 14-Feb-00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
t
v
10 sec
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
15
40
1.2
Maximum
18
50
1.5
Unit
_C/W
2-1

SUD40N10-25 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 100 V

  • +/- 20 V

  • 40 A

  • 25 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252-3

  • Reel

  • 80 ns

  • - 55 C

  • 3 W

  • 40 ns

  • 2000

  • TrenchFET

  • 15 ns

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