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SUD30N03-30 Datasheet

  • SUD30N03-30

  • N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET

  • 65.69KB

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUD30N03-30
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
r
DS(on)
(W)
0.030 @ V
GS
= 10 V
0.045 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"30
"25
D
TO-252
G
Drain Connected to Tab
G
D
S
Top View
Order Number:
SUD30N03-30
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
(T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
30
"20
"30
"21
"40
30
50
3
a
鈥?5 to 175
Unit
V
A
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case
Notes
a. Surface Mounted on 4鈥?x 4鈥?FR4 Board.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Document Number: 70268
S-57253鈥擱ev. D, 24-Feb-98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
Symbol
R
thJA
R
thJC
Limit
50
3.0
Unit
_C/W
2-1

SUD30N03-30 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 30 A

  • 30 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-252-3

  • Reel

  • 15 ns

  • - 55 C

  • 3 W

  • 10 ns

  • 2000

  • TrenchFET

  • 25 ns

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