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SUB70N03-09P Datasheet

  • SUB70N03-09P

  • N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

  • 4頁

  • VISHAY   VISHAY

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SUP/SUB70N03-09P
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S), 175_C, MOSFET PWM Optimized
PRODUCT SUMMARY
V
(BR)DSS
(V)
30
r
DS(on)
(W)
0.009 @ V
GS
= 10 V
0.015 @ V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
"70
a
"55
TO-220AB
D
TO-263
G
DRAIN connected to TAB
G
G D S
Top View
SUP70N03-09
SUB70N03-09
N-Channel MOSFET
D S
Top View
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
b
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
L = 0.1 mH
T
C
= 25_C
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
stg
Limit
"
30
"20
"70
a
"50
"180
"45
101
93
c
鈥?5 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
PCB Mount (TO-263)
d
Junction-to-Ambient
Free Air (TO-220AB)
Junction-to-Case
Notes:
a. Package limited.
b. Duty cycle
v
1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1鈥?square PCB (FR-4 material).
Document Number: 70821
S-59917鈥擱ev. A, 28-Sep-98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
R
thJC
R
thJA
62.5
1.6
Symbol
Limit
40
Unit
_C/W
2-1

SUB70N03-09P 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 30 V

  • +/- 20 V

  • 70 A

  • 9 mOhms

  • Single

  • + 175 C

  • SMD/SMT

  • TO-263-3

  • 12 ns

  • - 55 C

  • 93 W

  • 7 ns

  • 800

  • TrenchFET

  • 35 ns

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