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STX817 Datasheet

  • STX817

  • NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

  • 4頁(yè)

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STX817
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR
Type
STX817
Marking
X817
s
DEVICE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE
PCB ASSEMBLY
APPLICATIONS
s
VOLTAGE REGULATION
s
RELAY DRIVER
s
GENERIC SWITCH
DECRIPTION
The STX817 is a PNP transistor manufactured
using Planar Technology resulting in rugged high
performance devices.
TO-92
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
amb
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
-120
-80
-5
-1.5
-2
-0.3
-0.6
0.9
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
April 2002
1/4

STX817 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • Transistors Bipolar (BJT)

  • PNP

  • 80 V

  • - 5 V

  • 1.5 A

  • 140

  • Single

  • 50 MHz

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-92

  • Bulk

  • 0.9 W

  • 2500

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