STW4N150 Datasheet

IC型號：
STW4N150
PDF描述：
N-CHANNEL 1500V - 5 - 4A TO-220/TO-247 Very High Voltage Pow...
文件大小：
311.65KB
PDF頁數(shù)：
11頁
芯片廠家：
STMICROELECTRONICS

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STP4N150

STW4N150

N-CHANNEL 1500V - 5鈩?- 4A TO-220/TO-247

Very High Voltage PowerMESH鈩?MOSFET

Table 1: General Features

TYPE

STP4N150

STW4N150

Figure 1: Package

160 W

DSS

1500 V

DS(on)

鈩?/div>

TYPICAL R

(on) = 5

鈩?/div>

AVALANCHE RUGGEDNESS

GATE CHARGE MINIMIZED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

HIGH SPEED SWITCHING

TO-220

DESCRIPTION

Using the well consolidated high voltage MESH

OVERLAY鈩?process, STMicroelectronics has de-

signed an advanced family of Power MOSFETs

with outstanding performances. The strengthened

layout coupled with the Company鈥檚 proprietary

edge termination structure, gives the lowest

RDS(on) per area, unrivalled gate charge and

switching characteristics.

TO-247

Figure 2: Internal Schematic Diagram

APPLICATIONS

SWITCH MODE POWER SUPPLIES

Table 2: Order Codes

SALES TYPE

STP4N150

STW4N150

MARKING

P4N150

W4N150

PACKAGE

TO-220

TO-247

PACKAGING

TUBE

Rev. 3

July 2005

1/11

其它有關(guān)文件
STW4N150 View All Specifications
特色產(chǎn)品
1500V MOSFET Family
標準包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1500V（1.5kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 歐姆 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
160W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
497-5092-5

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型號

版本

描述

廠商

下載
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STW40N20

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