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STW16NA60 Datasheet

  • STW16NA60

  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STW16NA60
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
TYPE
STW16NA60
s
s
V
DSS
600 V
R
DS(on)
< 0.4
鈩?/div>
I
D
16 A
s
s
s
s
s
TYPICAL R
DS(on)
= 0.33
鈩?/div>
鹵
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE
RANTING
100% AVALANCHE TESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INTRINSIC CAPACITANCE
GATE CHARGE MINIMIZED
REDUCED VOLTAGE SPREAD
TO-247
3
2
1
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)
s
CONSUMER AND INDUSTRIAL LIGHTING
s
DC-AC CONVERTER FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE
POWER SUPPLY (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
600
600
鹵
30
16
10
64
250
2
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/ C
o
o
o
C
C
1/5
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
January 1998
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation.Details are subject to change without notice.

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