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STW15NB50 Datasheet

  • STW15NB50

  • N-CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14.6A - T0-247/ISOWATT218 PowerME...

  • 9頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STW15NB50
STH15NB50FI
N-CHANNEL 500V - 0.33鈩?- 14.6A -
T0-247/ISOWATT218 PowerMESH鈩?MOSFET
TYPE
ST W15NB50
ST H15NB50FI
s
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
R
DS(on)
< 0.36
鈩?/div>
<
0.36
鈩?/div>
I
D
14.6 A
10.5 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.33
鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
鹵
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
100% AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
1
3
2
3
2
1
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY鈩?/div>
process, SGS-Thomson has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company鈥檚
proprietary edge termination structure, gives the
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
t ot
dv/dt(
1
)
V
ISO
T
stg
T
j
June 1998
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25 C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25 C
Derating F actor
Peak Diode Recovery voltage slope
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage T emperature
Max. O perating Junction Temperature
o
o
o
TO-247
ISOWATT218
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Value
STW 15NB50
ST H15NB50FI
500
500
鹵
30
14.6
9.2
58.4
190
0.64
4
4000
-65 to 150
150
10.5
6.6
58.4
80
1.52
Uni t
V
V
V
A
A
A
W
W/ C
V/ ns
V
o
o
o
C
C
1/9

STW15NB50 產(chǎn)品屬性

  • 30

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • PowerMESH™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 14.6A

  • 360 毫歐 @ 7.5A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 80nC @ 10V

  • 3400pF @ 25V

  • 190W

  • 通孔

  • TO-247-3

  • TO-247-3

  • 管件

  • 497-2664-5

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) |...
  • 英文版
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    N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 12A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET
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