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STW12NB60 Datasheet

  • STW12NB60

  • N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 12A TO-247 PowerMesh⑩II MOSFET

  • 252.74KB

  • 8頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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STW12NB60
N-CHANNEL 600V - 0.5鈩?- 12A TO-247
PowerMesh鈩I MOSFET
TYPE
STW12NB60
s
s
s
s
s
V
DSS
600V
R
DS(on)
< 0.6鈩?/div>
I
D
12 A
TYPICAL R
DS
(on) = 0.5鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
100% AVALANCHE TESTED
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
1
3
2
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY鈩?/div>
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performances. The new patent pending strip layout
coupled with the Company鈥檚 proprieraty edge termi-
nation structure, gives the lowest RDS(on) per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteris-
tics.
TO-247
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
APPLICATIONS
s
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
TOT
dv/dt(1)
T
stg
T
j
May 2001
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at T
C
= 25擄C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100擄C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
C
= 25擄C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
Value
600
600
鹵30
12
7.56
48
190
1.52
4
鈥?5 to 150
150
(1)I
SD
鈮?2A,
di/dt
鈮?00A/碌s,
V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, T
j
鈮?/div>
T
JMAX.
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/擄C
V/ns
擄C
擄C
1/8

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D)...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) |...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 16A I(D) |...
  • 英文版
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