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STU3525NLS Datasheet

  • STU3525NLS

  • N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transis...

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S T U/D3525NLS
S amHop Microelectronics C orp.
Aug 06
,
2005
N-C hannel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor
P R ODUC T S UMMAR Y
V
DS S
25V
F E AT UR E S
(m
W
)
I
D
35A
R
DS (ON)
Max
S uper high dense cell design for low R
DS (ON
).
16 @ V
G S
= 10V
25 @ V
G S
= 4.5V
R ugged and reliable.
TO-252 and TO-251 P ackage.
D
D
G
S
G
D
S
G
S TU S E R IE S
TO-252AA(D-P AK)
S TD S E R IE S
TO-251(l-P AK)
S
ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
P arameter
Drain-S ource Voltage R ating
Drain-S ource Voltage
Gate-S ource Voltage
Drain C urrent-C ontinuous
a
-P ulsed
@ T
C
=25 C
S ymbol
Vspike
C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
S TG
Limit
30
25
20
35
75
20
50
-55 to 175
Unit
V
V
V
A
A
A
W
C
Drain-S ource Diode Forward C urrent
Maximum P ower Dissipation @ Tc=25 C
Operating and S torage Temperature R ange
THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S
Thermal R esistance, Junction-to-C ase
Thermal R esistance, Junction-to-Ambient
1
R
JC
R
JA
3
50
C /W
C /W

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