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STTH302RL Datasheet

  • STTH302RL

  • HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE

  • 5頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STTH302
HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
Tj (max)
V
F
(max)
trr (max)
3A
200 V
175 擄C
0.75 V
35 ns
FEATURES AND BENEFITS
Very low conduction losses
Negligible switching losses
Low forward and reverse recovery times
High junction temperature
s
s
s
s
DESCRIPTION
The STTH302 which is using ST's new 200V
planar technology, is specially suited for switching
mode base drive & transistor circuits.
The device is also intended for use as a free
wheeling diode in power supplies and other power
switching applications.
ABSOLUTE RATINGS
(limiting values)
Symbol
V
RRM
I
F (AV)
I
FSM
T
stg
Tj
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Average forward current
Surge non repetitive forward current
Storage temperature range
Maximum operating junction temperature
TI = 107擄C
t
p
= 10ms
DO-201AD
STTH302
Value
200
未
= 0.5
Sinusoidal
3
130
- 65 to + 175
175
Unit
V
A
A
擄C
擄C
THERMAL PARAMETERS
Symbol
Rth (j-a)
Junction-ambient*
Parameter
Value
25
Unit
擄C/W
* On infinite heatsink with 10mm lead length.
November 2001 - Ed: 1A
1/5

STTH302RL 產(chǎn)品屬性

  • STTH302 View All Specifications

  • 1

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • 單二極管/整流器

  • -

  • 標準

  • 200V

  • 3A

  • 950mV @ 3A

  • 快速恢復(fù) = 200mA（Io）

  • 35ns

  • 3µA @ 200V

  • -

  • 通孔

  • DO-201AD，軸向

  • DO-201AD

  • 剪切帶 (CT)

  • 497-12684-1

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