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STS5PF30L Datasheet

  • STS5PF30L

  • P - CHANNEL 30V - 0.053ohm - 5A SO-8 STripFET POWER MOSFET

  • 47.89KB

  • 6頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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廬
STS5PF30L
P - CHANNEL 30V - 0.053鈩?- 5A SO-8
STripFET鈩?POWER MOSFET
PRELIMINARY DATA
TYPE
STS5PF 30L
s
s
V
DSS
30 V
R
DS(on)
< 0.060
鈩?/div>
I
D
5 A
s
TYPICAL R
DS(on)
= 0.053
鈩?/div>
STANDARD OUTLINE FOR EASY
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
LOW THRESHOLD DRIVE
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the second generation of
STMicroelectronics unique 鈥漇ingle Feature Size鈩?/div>
鈥?strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a remarka-
ble manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s
BATTERY MANAGMENT IN NOMADIC
EQUIPMENT
s
POWER MANAGMENT IN CELLULAR
PHONES
SO-8
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symb ol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
G ate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25
o
C
Single O peration
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Single O peration
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at T
c
= 25
o
C
Value
30
30
鹵
20
5
3
20
2.5
Un it
V
V
V
A
A
A
W
I
DM
(
鈥?/div>
)
P
tot
(
鈥?/div>
) Pulse width limited by safe operating area
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed
November 1999
1/6

STS5PF30L 產(chǎn)品屬性

  • STS5PF30L View All Specifications

  • 1

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • STripFET™

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 5A

  • 55 毫歐 @ 2.5A，10V

  • 2.5V @ 250µA

  • 16nC @ 5V

  • 1350pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 8-SO

  • Digi-Reel?

  • 497-3231-6

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
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