STS4NF100 Datasheet

IC型號：
STS4NF100
PDF描述：
N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOS...
文件大?。?/label>
277.22KB
PDF頁數(shù)：
8頁
芯片廠家：
STMICROELECTRONICS

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N-CHANNEL 100V - 0.065

鈩?/div>

- 4A SO-8

STripFET鈩?II POWER MOSFET

TYPE

STS4NF100

DSS

100 V

DS(on)

<0.070

鈩?/div>

TYPICAL R

(on) = 0.065

鈩?/div>

EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

100 % AVALANCHE TESTED

APPLICATION ORIENTED

CHARACTERIZATION

DESCRIPTION

This MOSFET series realized with STMicroelectronics

unique STripFET process has specifically been designed

to minimize input capacitance and gate charge. It is

therefore suitable as primary switch in advanced high-

efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for

Telecom and Computer applications. It is also intended

for any applications with low gate drive requirements.

SO-8

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS

UPS AND MOTOR CONTROL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

DGR

(鈥?

tot

Parameter

Drain-source Voltage (V

= 0)

Drain-gate Voltage (R

= 20 k鈩?

Gate- source Voltage

Drain Current (continuos) at T

= 25擄C

Drain Current (continuos) at T

= 100擄C

Drain Current (pulsed)

Total Dissipation at T

= 25擄C

Value

100

鹵 20

2.5

Unit

(鈥?

Pulse width limited by safe operating area.

July 2001

1/8

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標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫歐 @ 2A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
870pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SO
包裝
Digi-Reel?
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497-8043-6

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