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STS3DPFS30 Datasheet

  • STS3DPFS30

  • P - CHANNEL 30V - 0.065ohm - 3A - S0-8 STripFETO MOSFET PLUS...

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  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
STS3DPFS30
P - CHANNEL 30V - 0.065鈩?- 3A - S0-8
STripFET
鈩?/div>
MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
PRELIMINARY DATA
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
MOSFET
V
DSS
30V
SCHOTTKY
I
F(AV)
3A
R
DS(on)
0.09鈩?/div>
V
RRM
30V
I
D
3A
V
F(MAX)
0.51V
SO-8
DESCRIPTION:
This product associates the latest low voltage
StripFET
鈩?/div>
in p-channel version to a low drop
Schottky diode. Such configuration is extremely
versatile in implementing, a large variety of DC-DC
converters for printers, portable equipment, and
cellular phones.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
Parameter
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k鈩?
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Value
30
30
鹵
20
3
1.9
12
2
Unit
V
V
V
A
A
A
W
SCHOTTKY ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
RRM
I
F(RMS)
I
F(AV)
I
FSM
I
RRM
I
RSM
dv/dt
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS Forward Current
Average Forward Current
Surge Non Repetitive Forward Current
Repetitive Peak Reverse Current
Non Repetitive Peak Reverse Current
Critical Rate Of Rise Of Reverse Voltage
T
L
=125 C
未
=0.5
tp= 10 ms
Sinusoidal
tp=2
碌s
F=1 kHz
tp=100
碌s
o
Value
30
20
3
75
1
1
10000
Unit
V
A
A
A
A
A
V/碌s
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
Note: For the P-CHANNEL MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed
February 1999
1/5

STS3DPFS30 產(chǎn)品屬性

  • STMicroelectronics

  • MOSFET

  • P-Channel

  • - 30 V

  • +/- 20 V

  • 3 A

  • 0.09 Ohms

  • Single Dual Drain

  • + 150 C

  • SMD/SMT

  • SO-8

  • Reel

  • 11 ns

  • 5 S

  • 2 W

  • 29 ns

  • 2500

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