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STS2320 Datasheet

  • STS2320

  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

  • 7頁

  • SAMHOP

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SamHop Microelectronics Corp.
STS2320
Oct .29 2004
V1.1
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRODUCT SUMMARY
V
DSS
20V
FEATURES
( m
W
) Max
I
D
3.6A
R
DS(ON)
Super high dense cell design for low R
DS(ON
).
45@ V
GS
= 4.5V
65@ V
GS
=2.5V
Rugged and reliable.
SOT-23 package.
D
SOT-23
D
S
G
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous @T
J
=25 C
b
-Pulsed
Drain-Source Diode Forward Current
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage
Temperature Range
a
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
STG
Limit
20
10
3.6
14
1.25
1.25
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
a
R
thJA
100
C/W
1

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